Mitsubishi GaN FET MGFC50G5875-SL

Vorserienmuster GaN - FET für 5,8 - 6,7 GHz und 100 Watt bei 40 Volt Betriebsspannung. Die Verstärkung bei 5,8 GHz wurde mit ~10 dB angegeben. Hierbei handelt es sich um einen idealen FET zum Aufbau eines 5,7 GHz - Verstärkers für z.B. EME..